施體濃度1.0×10¹⁶ cm⁻³的n型矽（室溫，施體全部游離）的電阻率最接近下列何者？設電子遷移率為1350 cm²/(V·s)，基本電荷為1.60×10⁻¹⁹ C，忽略電洞的貢獻。

正確答案：A. 約0.46 Ω·cm

導電率為 σ = neμ = 1.0×10¹⁶ × 1.60×10⁻¹⁹ × 1350 ≈ 2.16 S/cm，電阻率是其倒數 ρ = 1/σ ≈ 0.46 Ω·cm。約2.2 Ω·cm 是把導電率的數值直接誤當成電阻率的錯誤。約4.6×10³ Ω·cm 是把遷移率換算成 m²/(V·s) 的0.135，直接與 cm⁻³ 的濃度組合，單位混用而產生的錯誤。金屬的載子濃度約為10²² cm⁻³ 而很大，電阻率幾乎由材料決定；半導體則可藉由摻雜使n改變好幾個數量級，因此能在廣泛範圍內控制電阻率。