전자·자성·광학 재료

소자 상태의 강자성체에 외부 자기장을 가해 서서히 강하게 할 때, 자화가 진행되는 원리로 옳은 것은 무엇인가?

  1. A약한 자기장에서는 주로 자벽이 이동하고, 강한 자기장에서는 자구 내 자화가 회전하여 포화에 가까워진다
  2. B처음부터 각 원자의 자기 모멘트가 하나씩 독립적으로 자기장의 방향으로 회전한다
  3. C자구가 잘게 나뉘어 수가 늘어남으로써 자화가 진행된다
정답과 해설 보기

정답: A. 약한 자기장에서는 주로 자벽이 이동하고, 강한 자기장에서는 자구 내 자화가 회전하여 포화에 가까워진다

소자 상태의 강자성체는 내부가 자화 방향이 서로 다른 많은 자구로 나뉘어 있어, 전체적으로 자화가 상쇄되어 있습니다. 약한 자기장을 가하면 자기장 방향에 가까운 자구가 넓어지도록 자구의 경계인 자벽이 이동하여 자화가 증가합니다. 자기장을 더 강하게 하면 남은 자구 내의 자화 자체가 자기장 방향으로 회전하여 포화 자화에 가까워집니다. 자구 안에서는 원자의 자기 모멘트가 이미 정렬되어 있으므로 하나씩 독립적으로 회전하는 것이 아닙니다. 자구의 수가 늘어나는 것도 아니며, 유리한 방향의 자구가 커집니다. 자벽이 개재물이나 결정립계에 걸려 움직이기 어려울수록 보자력은 커집니다.

오류 신고

이 분야 풀기 분야 페이지로

전자·자성·광학 재료의 다른 문제

  1. 공기 중에서 굴절률 2.4인 투명한 물질(다이아몬드에 가까움)의 표면에 빛이 수직으로 입사할 때, 표면에서의 반사율에 가장 가까운 것은 무엇인가? 흡수는 무시한다.
  2. 흡수 계수가 1.0×10⁴ cm⁻¹인 재료로 된 두께 1.0 µm의 막에 빛을 비출 때, 막을 투과하는 빛의 비율에 가장 가까운 것은 무엇인가? 표면에서의 반사는 무시하고, I = I₀exp(−αx)로 한다.
  3. 실리콘이 발광 다이오드의 발광 재료로 거의 쓰이지 않는 주된 이유는 무엇인가?
  4. 도너 농도가 1.0×10¹⁶ cm⁻³인 n형 실리콘(상온, 도너는 모두 이온화)의 비저항에 가장 가까운 것은 무엇인가? 전자의 이동도는 1350 cm²/(V·s), 기본 전하량은 1.60×10⁻¹⁹ C로 하고, 정공의 기여는 무시한다.
  5. 온도를 올렸을 때 전기 비저항의 변화로 옳은 조합은 무엇인가? 반도체는 진성 영역에 있다고 한다.