用於太陽能電池或薄膜電晶體的非晶矽，以矽烷的電漿CVD製作成含氫約10%的a-Si:H，主要理由為下列何者？

正確答案：C. 以氫終結Si的懸鍵，減少能隙中的缺陷能階

不含氫的非晶矽因網絡的無序，沒有鍵結對象的鍵（懸鍵）多達約10¹⁹〜10²⁰ cm⁻³，它們形成的能階位於能隙中央附近，會捕捉電子與電洞。因此即使加入摻雜物，費米能階也幾乎不移動，光產生的載子也很快復合。氫以Si-H鍵終結懸鍵後，缺陷密度降到約10¹⁵〜10¹⁶ cm⁻³，才能用磷或硼做成n型或p型。氫並不是作為施體，在一般的成膜條件下膜仍是非晶質（以氫大量稀釋的矽烷也能形成微晶膜，但那是另一種目的）。持續照光時缺陷增加的Staebler-Wronski效應，也與這些氫有關。