玻璃與非晶質材料
氫化非晶矽（a-Si:H）與結晶矽性質的比較，正確者為下列何者？
- A原子排列無序，因此幾乎不吸收可見光，可取代ITO用於透明電極
- B可見光吸收係數比結晶矽大，1 µm以下的膜即可，但電子遷移率小2〜3個數量級
- C電子遷移率比結晶矽還要大，因此目前取代結晶矽而被廣泛用於高速微處理器的電晶體之中
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正確答案：B. 可見光吸收係數比結晶矽大，1 µm以下的膜即可，但電子遷移率小2〜3個數量級
結晶矽是間接能隙型半導體，對可見光中波長較長的光吸收弱，因此太陽能電池通常使用厚度100 µm以上的基板。a-Si:H沒有長程週期性，躍遷前後動量守恆的限制放寬，因此可見光的吸收係數比晶體大，厚度1 µm以下的膜就能吸收光。另一方面，載子會被無序網絡形成的能帶尾端能階捕捉，因此電子遷移率約為1〜10 cm²/(V·s)，比結晶矽的約1400 cm²/(V·s)小2〜3個數量級。因此不適合高速邏輯電路，而是發揮能在約300℃大面積成膜的優點，用於液晶顯示器畫素的TFT與薄膜太陽能電池。其能隙約1.7 eV，會強烈吸收可見光，不能作為透明電極。