薄膜、表面與奈米材料

關於金屬晶體表面能的敘述,下列何者正確?

  1. A表面原子失去部分鍵結而表面能為正,一般堆積越緊密的低指數面越小
  2. B表面原子的相鄰原子較少而能自由移動,比內部原子穩定,因此表面能為負值
  3. C金屬鍵沒有方向性,斷開的鍵數也與晶面無關,因此表面能與晶面的方向無關而固定
查看答案與解析

正確答案:A. 表面原子失去部分鍵結而表面能為正,一般堆積越緊密的低指數面越小

將晶體切開形成表面時,表面原子會失去與相鄰原子的部分鍵結。能量因此升高,所以單位面積多餘的能量,即表面能,為正值。即使金屬鍵沒有方向性,被切斷的鍵數也依晶面而異,像FCC的{111}面這樣原子堆積緊密的面,垂直於面方向的鍵較少,因此表面能較小。所以在晶體的平衡形狀或成長後的粒子上,容易出現低指數的最密面。鍵結越強、熔點越高的金屬表面能越大,鎢約為3 J/m²,鋁約為1 J/m² 左右。

回報錯誤

練習這個領域 前往領域頁面

相關計算工具

薄膜、表面與奈米材料的其他題目

  1. 在均質成核中,設形成半徑r的球狀核時的自由能變化為 ΔG = (4/3)πr³ΔGv + 4πr²γ。界面能 γ = 0.10 J/m²、單位體積的自由能變化 ΔGv = −2.0×10⁸ J/m³ 時,臨界核半徑 r* 最接近下列何者?
  2. 在異質成核中,設核與基板的接觸角為θ,形成臨界核所需的能量為均質成核的 f(θ) = (2 + cosθ)(1 − cosθ)²/4 倍。θ = 60° 時 f(θ) 最接近下列何者?
  3. 在相同過冷度下比較時,異質成核臨界核的曲率半徑與均質成核的臨界核半徑相比會如何?
  4. 在薄膜的成長模式中,關於Stranski-Krastanov(SK)成長的敘述,下列何者正確?
  5. 設基板的表面能為γs,膜的表面能為γf,膜與基板的界面能為γi。容易發生島狀(Volmer-Weber)成長的條件為下列何者?