薄膜、表面與奈米材料

在薄膜的成長模式中,關於Stranski-Krastanov(SK)成長的敘述,下列何者正確?

  1. A膜與基板的鍵結弱,一開始就以3維島狀散布在基板上成長
  2. B數個原子層的層狀成長後,因應變累積等原因而成長出3維的島
  3. C即使晶格不匹配,也直到最後都逐層成長
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正確答案:B. 數個原子層的層狀成長後,因應變累積等原因而成長出3維的島

在SK成長中,首先以層狀成長出稱為潤濕層的數個原子層,之後當晶格不匹配造成的應變能累積時,為了緩和應變而成長出3維的島。以GaAs上的InAs(晶格不匹配約7%)自組裝形成量子點是代表例。一開始就以3維島狀成長的是Volmer-Weber(VW)成長,發生在膜原子彼此的鍵結強於膜與基板的鍵結時,常見於氧化物上的金屬膜。直到最後都以層狀成長的是Frank-van der Merwe(FM)成長,理想上發生於晶格匹配的磊晶成長。

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