什麼是量子點
將電子與電洞在3維侷限的數nm半導體奈米晶體。侷限能大致與粒徑的2次方成反比,可藉粒徑調整發光波長。
日文名稱: 量子ドット
「量子點」出現在2領域的3道練習題中(薄膜、表面與奈米材料, 奈米材料等)。
這個名詞所屬的領域: 奈米材料
將電子與電洞在3維侷限的數nm半導體奈米晶體。侷限能大致與粒徑的2次方成反比,可藉粒徑調整發光波長。
日文名稱: 量子ドット
「量子點」出現在2領域的3道練習題中(薄膜、表面與奈米材料, 奈米材料等)。
這個名詞所屬的領域: 奈米材料
將半導體晶體做成與電子電洞對(激子)的擴展相當或更小的數nm時,電子與電洞表現為被侷限在狹小箱子中的波,能量成為不連續的值。即使最低能階也被侷限能抬高,因此等效能隙比塊材大,粒子越小,發出的光波長越短。只改變相同物質的大小就能調整發光顏色是量子點最大的特徵,2023年諾貝爾化學獎頒給了發現此效應並確立合成法的3位研究者。
被侷限在半徑R球形箱子中的粒子,其最低能量以有效質量m*表示為 ħ²π²/(2m*R²),與半徑的2次方成反比,有效質量越小越大。將電子與電洞兩者的份量相加,再扣除兩者庫侖吸引的份量,就是稱為Brus式的估計。侷限效應強烈作用的,是半徑與激子波耳半徑(CdSe約5~6 nm)相當或更小的情形。但在數nm以下,能帶會偏離拋物線,因此實際大小與能隙的關係,通常由量測所建立的校正曲線讀取。
量子點有在溶液中合成、表面以有機分子(配位基)覆蓋的膠體量子點,以及利用晶體成長過程中形成之島狀結構的自組裝量子點。後者利用在晶格常數不同的基板上薄膜轉變為島的Stranski-Krastanov成長,用於InAs/GaAs系等的半導體雷射與單光子源。另一方面,同樣是奈米大小,金或銀粒子的顏色來自表面電子的集體振盪(電漿子),與量子點的侷限效應是不同的現象。
量子點的原子多半位於表面,表面缺陷捕捉電子或電洞時,能量會在不發光的情況下失去。因此將CdSe核以能隙大的ZnS等殼包覆成核殼結構,提高發光效率與穩定性。在顯示器中,用於將藍色LED的光轉換為紅與綠的色轉換層等,由於發光寬度窄,可擴大色彩再現範圍。鎘是使用受管制的物質,因此正逐漸改用以InP為核的量子點,也在研究作為生物螢光標記與太陽電池的應用。
正確答案:C. 能隙變大,往短波長側(藍色側)偏移
粒徑縮小到與電子和電洞擴展範圍的標準,即激子的波耳半徑(CdSe約5〜6 nm)相同程度以下時,載子被侷限在狹窄的空間中,能階變成離散且間隔變寬。這就是量子尺寸效應,粒徑越小,等效能隙越大,發光往短波長側(藍色側)偏移。因此即使是相同材料,只要改變粒徑就能調整發光顏色,用於顯示器的色轉換等。縮小後能隙變小的選項是相反的錯誤。與塊材相同顏色,是粒徑遠大於波耳半徑的情形。
正確答案:B. 約2.42 eV
侷限能與1/R²成正比,因此由 R = 3.0 nm 變為2.0 nm 時,成為 (3.0/2.0)² = 2.25倍的 0.30 × 2.25 = 0.675 eV。等效能隙為 1.74 + 0.675 ≈ 2.42 eV,發光波長的估計為 1240/2.42 ≈ 513 nm(綠色)。R = 3.0 nm 時為 2.04 eV(約608 nm,橙〜紅色),因此越小波長越短。約2.19 eV 是與1/R成正比、約2.75 eV 是與1/R³成正比時的值。在實際的量子點中,粒徑小時有效質量近似不易成立(能帶的非拋物線性),侷限能的增加通常比1/R²緩和,因此這個值只是估計。
奈米粒子是泛指大小約1~100 nm之粒子的廣義用語。量子點是其中因電子與電洞的侷限,使能階與能隙隨大小改變者,主要指半導體奈米晶體。即使是相同物質,大到侷限效應不起作用時就不稱為量子點。
主要是材料種類與粒徑。材料決定塊材能隙的大致位置,粒徑越小,侷限使能隙越寬,發光往藍色側移動。粒徑越一致,發光寬度越窄,殼的種類與表面狀態也會影響波長的微小偏移與發光效率。
光、熱、氧或水分使表面氧化或配位基脫落時,缺陷增加而使發光效率下降。因此除了以殼包覆,也會封入樹脂或玻璃中,或夾在不易透過氧與水的薄膜之間使用。一般認為不含鎘的材料更難確保穩定性。
在實際的量子點中,粒徑小時有效質量近似不易成立(能帶的非拋物線性),侷限能的增加通常比1/R²緩和,因此這個值只是估計。
在CdSe量子點(塊材能隙1.74 eV)中,假設侷限造成的能量增加與半徑R的2次方成反比的簡單模型,R = 3.0 …以GaAs上的InAs(晶格不匹配約7%)自組裝形成量子點是代表例。
在薄膜的成長模式中,關於Stranski-Krastanov(SK)成長的敘述,下列何者正確?量子尺寸效應 Stranski-Krastanov成長 比表面積 由下而上法 石墨烯 奈米粒子的熔點下降 奈米碳管 界達電位 BET法