量子ドットとは
りょうしどっと
電子と正孔を3次元的に閉じ込める数nmの半導体ナノ結晶。閉じ込めエネルギーはおおよそ粒径の2乗に反比例し、粒径で発光波長を調整できる。
「量子ドット」は、2分野の3問の練習問題に出てきます(薄膜・表面・ナノ材料, ナノ材料など)。
この用語の分野: ナノ材料
りょうしどっと
電子と正孔を3次元的に閉じ込める数nmの半導体ナノ結晶。閉じ込めエネルギーはおおよそ粒径の2乗に反比例し、粒径で発光波長を調整できる。
「量子ドット」は、2分野の3問の練習問題に出てきます(薄膜・表面・ナノ材料, ナノ材料など)。
この用語の分野: ナノ材料
正解:C. バンドギャップが大きくなり、短波長側(青の側)へずれる
粒径が、電子と正孔の広がりの目安である励起子のボーア半径(CdSeで約5〜6 nm)と同じ程度以下になると、キャリアが狭い空間に閉じ込められて、エネルギー準位がとびとびになって間隔が広がります。これが量子サイズ効果で、粒径が小さいほど実効的なバンドギャップが大きくなり、発光は短波長側(青の側)へずれます。そのため同じ材料でも粒径を変えるだけで発光色を調整でき、ディスプレイの色変換などに使われます。小さくするとギャップが小さくなるという選択肢は逆の誤りです。バルクと同じ色になるのは、粒径がボーア半径より十分大きい場合です。
正解:B. 約2.42 eV
閉じ込めエネルギーは1/R²に比例するので、R = 3.0 nm から2.0 nm にすると (3.0/2.0)² = 2.25倍の 0.30 × 2.25 = 0.675 eV になります。実効的なバンドギャップは 1.74 + 0.675 ≈ 2.42 eV で、発光波長の目安は 1240/2.42 ≈ 513 nm(緑)です。R = 3.0 nm では 2.04 eV(約608 nm、橙〜赤)なので、小さいほど短波長になります。約2.19 eV は1/R、約2.75 eV は1/R³に比例するとした値です。実際の量子ドットでは、小さい粒径で有効質量近似が成り立ちにくくなり(バンドの非放物線性)、閉じ込めエネルギーの増え方は1/R²より緩やかになるのがふつうなので、この値は目安です。
実際の量子ドットでは、小さい粒径で有効質量近似が成り立ちにくくなり(バンドの非放物線性)、閉じ込めエネルギーの増え方は1/R²より緩やかになるのがふつうなので、この値は目安です。
CdSe量子ドット(バルクのバンドギャップ1.74 eV)で、閉じ込めによるエネルギーの増加が半径Rの2乗に反比例する…GaAs上のInAs(格子不整合は約7%)による量子ドットの自己形成が代表例です。
薄膜の成長様式のうち、ストランスキー・クラスタノフ(SK)成長の説明として正しいものはどれか。量子サイズ効果 ストランスキー・クラスタノフ成長 カーボンナノチューブ グラフェン ゼータ電位 ナノ粒子の融点降下 BET法 比表面積 ボトムアップ法