在矽基板上以高溫形成熱氧化膜（SiO₂，線膨脹係數約0.5×10⁻⁶ K⁻¹），再冷卻至室溫。設矽的線膨脹係數約為2.6×10⁻⁶ K⁻¹，因熱膨脹差而在氧化膜中產生的應力為下列何者？

正確答案：B. 壓縮應力

冷卻時，矽比SiO₂收縮得更多。SiO₂膜被迫收縮的量多於它本身想收縮的量，因此在面內被壓縮而成為壓縮應力。熱應力的方向可以這樣判斷：膜的線膨脹係數大於基板時，冷卻後為拉伸；小於基板時則為壓縮。與矽上的鋁膜相比，膨脹係數的大小關係相反，因此應力的方向也相反。只要膨脹係數有差異，溫度從成膜溫度改變就會產生應力，因此「不產生應力」的選項是錯誤的。熱氧化膜的壓縮應力約為數百MPa，可由晶圓翹曲的量測求得。