什麼是熱應力
由熱膨脹差異產生的應力。基板上的薄膜以 σ = EΔαΔT/(1 − ν) 估算,膜的膨脹係數大時,冷卻後為拉伸。
日文名稱: 熱応力
「熱應力」出現在3領域的5道練習題中(薄膜、表面與奈米材料, 材料的熱性質, 高溫材料與潛變等)。
這個名詞所屬的領域: 薄膜、表面與奈米材料
由熱膨脹差異產生的應力。基板上的薄膜以 σ = EΔαΔT/(1 − ν) 估算,膜的膨脹係數大時,冷卻後為拉伸。
日文名稱: 熱応力
「熱應力」出現在3領域的5道練習題中(薄膜、表面與奈米材料, 材料的熱性質, 高溫材料與潛變等)。
這個名詞所屬的領域: 薄膜、表面與奈米材料
即使將物體均勻加熱,只要能自由膨脹就不會產生應力。熱應力是在膨脹或收縮受到阻礙時產生,也就是下列任一種情形:①線膨脹係數不同的材料互相接合,②物體內部有溫度差,③從外部拘束其變形。基板上的薄膜是①的代表,急冷玻璃的表面是②的代表。將兩端固定的棒加熱 ΔT,就會產生大小為 EαΔT 的壓縮應力。熱應力即使不從外部施加負荷也會產生,因此是容易被忽略的應力。
在夠厚的基板上的薄膜,於面內2個方向受到相同的拘束,因此使用雙軸模數 E/(1 − ν),以 σ = EΔαΔT/(1 − ν) 估算。例如把矽基板上的銅膜(E = 120 GPa、ν = 0.34、α = 17×10⁻⁶ K⁻¹)從400℃冷卻到25℃,若維持彈性,會成為約1 GPa的拉伸應力。實際的銅膜會在冷卻途中降伏,應力多半停在數百MPa左右。在高溫成膜的膜,其室溫應力由冷卻中的塑性變形決定的情形也不少。
薄膜的殘留應力並不只是熱應力。濺鍍膜因高能量粒子打入而容易產生壓縮應力,蒸鍍膜則在島互相連接時容易產生拉伸應力,這類在成膜過程中形成的應力稱為本質應力。量測到的殘留應力是熱應力與本質應力的和,因此只想從成膜溫度與室溫的差來說明全部應力,是對不上的。一般的方法,是一邊改變溫度一邊量測應力,把隨溫度成比例變化的部分分離出來作為熱應力。
晶圓上薄膜的應力,標準的求法是由晶圓翹曲的曲率半徑 R,以Stoney公式 σ = Es hs²/{6(1 − νs) hf R} 求得(Es、νs 為基板的楊氏模數與蒲松比,hs、hf 為基板與膜的厚度)。熱應力會造成鋁導線的小丘、銲點的熱疲勞、熱障塗層的剝離、功率半導體基板的破裂等。對策有選擇膨脹係數相近的材料、在中間插入具中間膨脹係數的層,以及緩慢升溫與降溫以減小溫度差等。
正確答案:C. 拉伸,約220 MPa
Δα = 23×10⁻⁶ − 2.6×10⁻⁶ = 20.4×10⁻⁶ K⁻¹,ΔT = 100 K,因此 σ = 70×10⁹ × 20.4×10⁻⁶ × 100/(1 − 0.35) ≈ 2.2×10⁸ Pa,約220 MPa。冷卻時鋁想要比矽收縮得更多,但受基板拘束而無法收縮,因此膜被拉伸而成為拉伸應力。認為是壓縮是方向弄錯了。約143 MPa 是忘了除以 (1 − ν) 的值。膜在面內2個方向同時受到拘束,處於雙軸應力狀態,因此必須使用雙軸模數 E/(1 − ν)。這種熱應力會成為導線應力遷移與孔洞的原因。
因為薄膜處於在面內2個方向同時受拘束的雙軸應力狀態,比只有單一方向時更不容易變形。表示這一點的就是雙軸模數 E/(1 − ν)。若只在一個方向拘束棒,應力的大小是 EαΔT。
冷卻後的應力,膜的線膨脹係數比基板大時為拉伸,比基板小時為壓縮。加熱時方向相反。不過還會加上本質應力,因此實際的方向要以翹曲量測等確認。
熱應力是由膨脹差或溫度差產生之應力的名稱。熱衝擊則是急速加熱或冷卻使物體內部產生大的溫度差,因此時產生的熱應力而破裂的現象,是熱應力的一種表現形式。
這種熱應力會成為導線應力遷移與孔洞的原因。
將矽基板(線膨脹係數2.6×10⁻⁶ K⁻¹)上的鋁膜(楊氏模數70 GPa,蒲松比0.35,線膨脹係數23×10⁻⁶…熱應力的方向可以這樣判斷:膜的線膨脹係數大於基板時,冷卻後為拉伸;小於基板時則為壓縮。
在矽基板上以高溫形成熱氧化膜(SiO₂,線膨脹係數約0.5×10⁻⁶ K⁻¹),再冷卻至室溫。設矽的線膨脹係數約為2.…因此,組合金屬與高分子或陶瓷的零件,溫度變化時會因膨脹差而產生熱應力或翹曲。
將室溫附近的線膨脹係數由大到小排列,下列何者正確?急冷時只有表面想先收縮,卻被內部拉住,在表面產生拉伸熱應力 σ ≈ EαΔT/(1 − ν)。
把燒紅的石英玻璃(熔融石英)放入水中也不易破裂,鈉鈣玻璃卻容易破裂。石英玻璃耐熱衝擊性高的主要原因為下列何者?熱導率越低、膜越厚,溫差越大,但膜加厚會因熱應力而容易剝離,因此厚度有其限度。
1.0 MW/m²的熱通量沿厚度方向均勻通過熱障塗層的面層(厚度250 µm,熱導率1.2 W/(m·K))。視為穩態…線膨脹係數 楊氏模數 破壞韌性 熱障塗層 鎳基超合金 潛變 量子尺寸效應 奧斯華熟化 臨界核半徑 Stranski-Krastanov成長