以Al Kα射線（能量1486.6 eV）進行XPS時，量得Si 2p光電子的動能為1378.8 eV。設儀器的功函數為4.5 eV，束縛能最接近下列何者？

正確答案：C. 約103.3 eV

由光電效應的能量守恆，束縛能為 E_B = hν − E_K − φ = 1486.6 − 1378.8 − 4.5 = 103.3 eV。Si 2p的束縛能在元素態Si約為99 eV，高了約4 eV的這個值是SiO₂（Si⁴⁺）的典型值，可判斷表面已被氧化。約107.8 eV 是忘了減去功函數的值，約112.3 eV 是應減去功函數卻加上的值。量測絕緣物時，帶電會使峰偏移，因此常以表面汙染碳的C 1s峰（約284.8 eV）為基準修正束縛能。