以Cu Kα射線(波長0.15406 nm)進行XRD時,晶面間距0.3135 nm的Si(111)面的1次繞射峰出現的繞射角2θ最接近下列何者?
- A約14.2°
- B約28.4°
- C約58.9°
由晶格常數a與米勒指數(hkl)求出晶面間距與繞射角2θ,並以各晶體結構的消光規則確認繞射峰是否出現。預設值為BCC的鐵(a = 0.2866 nm)與Cu Kα射線(λ = 0.15406 nm)。
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以1次繞射(n = 1)計算。λ/2d 超過1的晶面,在該波長下不會繞射。未計算繞射峰的強度(結構因子的大小、多重度、溫度因子)。
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對晶體照射波長λ的X光時,在以間距d排列的原子面反射互相加強的角度θ上,會發生強繞射。這個條件就是布拉格定律 nλ = 2d·sinθ。在立方晶中,米勒指數(hkl)晶面的間距可由 d = a/√(h² + k² + l²) 求得。對預設值BCC鐵(a = 0.2866 nm)的(110)面,d = 0.2866/√2 ≈ 0.2027 nm,以Cu Kα射線(λ = 0.15406 nm)而言 sinθ = 0.15406/(2 × 0.2027) ≈ 0.380,2θ ≈ 44.68°。XRD儀器輸出以2θ為橫軸的圖譜,因此計算通常也以2θ比較。
單位晶胞中有多個原子時,來自各原子的散射波會互相抵消,某些晶面的繞射強度有時會成為零。這稱為消光規則,可由計算結構因子 F = Σ f·exp(2πi(hx + ky + lz)) 導出。在體心立方中只出現 h + k + l 為偶數的面,(100)消失,接著是(110)、(200)、(211)、(220)…。在面心立方中只有 h、k、l 全為偶數或全為奇數的面,為(111)、(200)、(220)、(311)…。在鑽石結構(Si、Ge等)中,全為偶數時還要求 h + k + l 為4的倍數,因此(200)消失,成為(111)、(220)、(311)、(400)…。
在立方晶中 sin²θ 與 h² + k² + l² 成正比,因此從低角度側依序取繞射峰 sin²θ 的比,就能區分結構。BCC的比為 2 : 4 : 6 : 8 …(1 : 2 : 3 : 4 …),FCC則排列為 3 : 4 : 8 : 11 : 12 …。SC為 1 : 2 : 3 : 4 : 5 : 6 : 8 …,其特徵是缺少7。最初2條峰的比為 3 : 4 時可推測為FCC,為 1 : 2 時可推測為BCC或SC(比的排列中缺少7則為SC)。請在本計算工具中切換結構,確認繞射峰一覽如何變化。
實測的繞射峰位置,可能因試樣高度偏移(試樣偏心)、零點誤差、合金元素造成的晶格常數變化、殘留應力等,而與計算相差0.1°左右。要精確求出晶格常數時,使用高角度側的多條繞射峰進行外插。此外,Cu Kα射線有Kα1(0.15406 nm)與Kα2(0.15444 nm),在高角度側繞射峰會分成2個。繞射峰的寬度會因微晶尺寸或應變而變寬,可用謝樂公式 D = Kλ/(β·cosθ) 估算微晶尺寸。
正確答案:C. (111)
在FCC中,只有h、k、l全為偶數或全為奇數時才出現繞射,偶數與奇數混雜時,單位晶胞內4個原子的散射互相抵消而強度為0(消光規則)。因此繞射峰依(111)、(200)、(220)、(311)…的順序出現,h² + k² + l² 最小的(111)晶面間距最大,位於最低角度側。(100)與(110)都是偶數與奇數混雜,因此在FCC中不出現。BCC只出現 h + k + l 為偶數的面,所以第一個峰為(110),可由繞射峰的排列區分FCC與BCC。
是繞射的次數。(110)面 n = 2 的繞射,與晶面間距一半的(220)面的1次繞射出現在相同角度。因此在XRD中,通常取 n = 1,以(220)這樣把指數變為2倍的晶面表示。
因為體心原子在頂點原子形成的(100)面正中間,形成密度相同的面,來自該面的散射波偏移半個波長而互相抵消。h + k + l 為奇數的面全都因相同的理由消失。
Kα1為0.15406 nm,Kα2為0.15444 nm,強度比約為2 : 1。不分開處理時,有時也使用加權平均約0.15418 nm。此外,Co Kα(約0.1789 nm)、Mo Kα(約0.0709 nm)等也很常用。