什麼是XRD(X光繞射)
對晶體照射X光,由繞射X光的角度與強度調查晶相、晶格常數、微晶尺寸、應變、取向等的分析方法。
日文名稱: XRD(X線回折)
「XRD(X光繞射)」出現在5領域的9道練習題中(材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS), 晶體結構與米勒指數, 高分子與複合材料等)。
這個名詞所屬的領域: 材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)
對晶體照射X光,由繞射X光的角度與強度調查晶相、晶格常數、微晶尺寸、應變、取向等的分析方法。
日文名稱: XRD(X線回折)
「XRD(X光繞射)」出現在5領域的9道練習題中(材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS), 晶體結構與米勒指數, 高分子與複合材料等)。
這個名詞所屬的領域: 材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)
在XRD中,對原子間距與X光波長相當的晶體照射X光,量測在滿足布拉格定律的角度上相互加強的繞射X光。由繞射峰的位置可得知晶面間距與晶格常數,與資料庫的圖譜比較即可鑑定晶相。由峰的強度比可得知取向或相的比例,由峰的寬度可得知微晶大小與不均勻應變。非晶質材料不出現峰,而是出現寬廣的暈(halo),因此也能用來判斷是晶體還是非晶質。
對粉末或多晶試樣,基本是使試樣與X光偵測器連動旋轉的 θ-2θ 量測(聚焦法)。在這種配置中,只看得到來自平行於試樣表面之晶面的繞射。薄膜的量測使用以淺角度入射X光、只量測表面附近的薄膜法(低掠角入射)、調查取向或晶格傾斜的搖擺曲線,以及調查磊晶膜成分與應變的倒晶格空間圖等。X光源最常使用Cu Kα射線(波長約0.154 nm)。
由繞射峰位置精確求出晶格常數,就能估算固溶體的成分(Vegard定律)或殘留應力(sin²ψ法)。多個相的比例,以峰強度與標準試樣的比較,或將整個圖譜與計算擬合的Rietveld分析求得。由峰寬以謝樂公式估算微晶尺寸,但需要扣除儀器造成的展寬,並分離應變的貢獻。要得到精確的結果,角度的校正與試樣高度偏移的修正不可或缺。
在製程現場,XRD用於確認沉積膜的相或取向(例如矽化物相的鑑定或Cu導線的(111)取向)、確認熱處理造成的結晶化、鑑定腐蝕生成物或異物等。不過,偵測一般需要數%以上的含量與一定程度的體積,不擅長偵測微小異物或微量的相。這時要與微區XRD、TEM的電子繞射、拉曼光譜等組合。可以不破壞試樣而量測,因此能在其他分析之前進行,這也是一大優點。
正確答案:C. (111)
在FCC中,只有h、k、l全為偶數或全為奇數時才出現繞射,偶數與奇數混雜時,單位晶胞內4個原子的散射互相抵消而強度為0(消光規則)。因此繞射峰依(111)、(200)、(220)、(311)…的順序出現,h² + k² + l² 最小的(111)晶面間距最大,位於最低角度側。(100)與(110)都是偶數與奇數混雜,因此在FCC中不出現。BCC只出現 h + k + l 為偶數的面,所以第一個峰為(110),可由繞射峰的排列區分FCC與BCC。
XRD得知的是晶體結構,無法直接量測元素的種類。即使是相同元素,結構不同就能區分為不同的相;反之,元素分析要與EDS或X光螢光分析等組合。
不會出現尖銳的峰,而是寬廣平緩的山(暈)。若熱處理後出現峰,即可判斷已經結晶化。
依材料與X光入射角而定,θ-2θ 量測在金屬中為數µm〜數十µm,輕元素材料則可達更深處。只想量測薄膜時,使用低掠角入射的配置。
XRD的儀器與數據,通常以入射X光與繞射X光的夾角2θ為橫軸。
以Cu Kα射線(波長0.15406 nm)進行XRD時,晶面間距0.3135 nm的Si(111)面的1次繞射峰出現…指數越大的晶面,晶面間距越小;在XRD中,d 越小的晶面,其繞射峰出現在越高角度側。
鋁(FCC,晶格常數0.405 nm)的(111)面晶面間距最接近下列何者?密度法是簡便的結晶度量測方法,也可由DSC的熔解熱或X光繞射結晶峰面積的比求得結晶度。
設聚乙烯完全結晶的密度為1.000 g/cm³,完全非晶的密度為0.850 g/cm³。密度0.925 g/cm³試樣…XRD是調查晶體結構與晶格常數的方法,無法量測微量元素的濃度分布。
在半導體失效分析中,要以ppm〜ppb等級的靈敏度調查摻雜物的縱深濃度分布,最適合的方法為下列何者?由XRD半高寬求得的是以謝樂公式算出的微晶大小,並不是粒子的表面積本身。
量測粉末比表面積的BET法原理,下列何者正確?布拉格定律 消光規則 謝樂公式 結晶度 SIMS(二次離子質譜法) EDS(能量散布式X光能譜法) 比表面積 BET法 SEM(掃描式電子顯微鏡) XPS(X光光電子能譜法)