材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)
在半導體失效分析中，要以ppm〜ppb等級的靈敏度調查摻雜物的縱深濃度分布，最適合的方法為下列何者？
- ASIMS（二次離子質譜法）
- BEDS（能量散布式X光能譜法）
- CXRD（X光繞射）
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正確答案：A. SIMS（二次離子質譜法）
SIMS是以O₂⁺或Cs⁺等一次離子濺射試樣表面，同時對被撞出的二次離子進行質量分析的方法。能以ppm〜ppb的靈敏度、深度方向數nm的解析度量測許多元素，是量測矽中硼、磷、砷分布的標準方法。這是會削去試樣的破壞性分析，準確定量需要相同基材的標準試樣。EDS的偵測下限大約為0.1 wt%左右，要量測摻雜物濃度靈敏度不足。XRD是調查晶體結構與晶格常數的方法，無法量測微量元素的濃度分布。