什麼是EDS（能量散布式X光能譜法）
以半導體偵測器量測電子束激發之特性X光的能量，分析元素的方法。能在短時間內同時量測所有元素，但解析度比WDS低。
日文名稱: EDS(エネルギー分散型X線分光法)
「EDS（能量散布式X光能譜法）」出現在1領域的3道練習題中（材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)等）。
這個名詞所屬的領域: 材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)
量測原理與特性X光
電子束把原子內殼層的電子撞出時，外側殼層的電子會落入空出的能階，其能量差以元素固有的特性X光放出。EDS讓這些X光進入半導體偵測器，由產生的電子-電洞對數目量測能量。現在以矽漂移偵測器（SDD）為主流，不需要液態氮冷卻，能以高計數率量測。要激發內殼層，加速電壓必須遠高於吸收邊的能量（臨界激發能），一般的標準是選擇其約2倍以上的電壓。
解析度與容易重疊的峰
EDS的能量解析度，以Mn Kα（5.9 keV）的半高寬計約為125〜130 eV。間隔比這更小的峰難以分開，例如 S Kα（2.307 keV）與Mo Lα（2.293 keV）只差14 eV，BaTiO₃ 中的Ti Kα（4.511 keV）與Ba Lα（4.466 keV）只差45 eV。也要注意儀器特有的假峰：矽偵測器會在比真正的峰低1.74 keV的位置出現逃逸峰，計數率太高時，則會在2個X光能量之和的位置出現和峰。
分析到多大的範圍：空間解析度
在塊材試樣中，入射電子在試樣內一邊散射一邊擴展，因此X光是從比束徑大得多的區域放出。以Kanaya-Okayama公式估算電子的侵入深度，加速電壓20 kV時鐵約為1.6 µm，鋁約為4 µm。因此對小於1 µm的析出物做點分析時，周圍母相的元素也會一起被偵測到。把加速電壓降到10 kV，鐵中約縮小到0.5 µm，但能激發的X光會受到限制。若是TEM的薄試樣，擴展很小，能分析nm的區域。
定量的精度與不擅長的元素
EDS的定量，以依原子序、吸收、螢光效應修正峰強度的ZAF校正等進行。以平坦研磨的試樣並使用標準樣品時，有時能以數%的相對誤差求得，但在凹凸的破斷面或粒子上誤差會變大。偵測下限大約為0.1 wt%，比這更少的元素以WDS或SIMS量測。一般的儀器無法偵測H、He、Li，而B、C、N、O等輕元素靈敏度低、吸收校正也大，因此當作半定量的值處理較為穩妥。表面的碳汙染也會使碳的值偏高。
練習EDS（能量散布式X光能譜法）的題目
以SEM或EPMA分析特性X光的EDS（能量散布式）與WDS（波長散布式）的比較，下列何者正確？
- AEDS不使用分光晶體，因此能量解析度較高，較容易分離彼此重疊的峰
- BWDS的能量解析度較高，EDS能在短時間內同時量測許多元素
- CWDS不必移動分光晶體，以1個偵測器同時量測所有元素，因此比EDS快
常見問題
EDS與EDX相同嗎？
是相同的分析方法。EDS、EDX、EDXS等只是縮寫方式不同，指的都是能量散布式X光能譜法（energy-dispersive X-ray spectroscopy）。
EDS與WDS要如何區分使用？
一般而言，在短時間內調查多種元素的定性分析或元素分布圖使用EDS，想分開重疊的峰或精密定量微量元素時使用WDS。
EDS能知道化學狀態（氧化數）嗎？
幾乎無法得知。特性X光的能量由內殼層能階的差決定，化學鍵結造成的變化遠小於解析度。要調查鍵結狀態，需使用XPS等方法。
解析中的「EDS（能量散布式X光能譜法）」
EDS以半導體偵測器直接量測X光的能量，因此能在短時間內同時取得所有元素的峰，可簡便地安裝在SEM上。
以SEM或EPMA分析特性X光的EDS（能量散布式）與WDS（波長散布式）的比較，下列何者正確？調查深數µm的平均成分，是SEM的EDS等的角色。
XPS（X光光電子能譜）的偵測深度與由此得到的資訊，下列何者正確？EDS的偵測下限大約為0.1 wt%左右，要量測摻雜物濃度靈敏度不足。
在半導體失效分析中，要以ppm〜ppb等級的靈敏度調查摻雜物的縱深濃度分布，最適合的方法為下列何者？
出現「EDS（能量散布式X光能譜法）」的題目（3題）
相關名詞
SEM（掃描式電子顯微鏡） XPS（X光光電子能譜法） SIMS（二次離子質譜法） XRD（X光繞射） 布拉格定律 消光規則 謝樂公式