材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)
XPS（X光光電子能譜）的偵測深度與由此得到的資訊，下列何者正確？
- AX光可達試樣數µm深，因此可得知深至數µm的平均成分
- B偵測深度約為數nm，可由峰的化學位移得知元素的鍵結狀態（氧化數等）
- C偵測深度約為數nm，但只能得知元素種類，無法得知鍵結狀態
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正確答案：B. 偵測深度約為數nm，可由峰的化學位移得知元素的鍵結狀態（氧化數等）
在XPS中，入射X光本身可達試樣數µm深，但產生的光電子容易因非彈性散射而失去能量，能以原本的能量從表面逸出的，只有在深度數nm以內產生者。因此是調查最表面數nm的分析方法。光電子的束縛能會隨原子的化學狀態而略為改變（化學位移），例如Si 2p中，SiO₂比元素態的Si高約4 eV，因此能區分有無氧化與氧化數。深度方向的分布，以Ar離子濺射剝除表面同時量測，或改變光電子的出射角來調查。調查深數µm的平均成分，是SEM的EDS等的角色。