什麼是Pilling-Bedworth比
氧化物體積與形成它所用的金屬體積之比。一般認為小於1時膜容易破裂,在1〜2左右時容易具有保護性,是一個參考值。
日文名稱: ピリング・ベドワース比
「Pilling-Bedworth比」出現在1領域的1道練習題中(高溫材料與潛變等)。
這個名詞所屬的領域: 高溫材料與潛變
氧化物體積與形成它所用的金屬體積之比。一般認為小於1時膜容易破裂,在1〜2左右時容易具有保護性,是一個參考值。
日文名稱: ピリング・ベドワース比
「Pilling-Bedworth比」出現在1領域的1道練習題中(高溫材料與潛變等)。
這個名詞所屬的領域: 高溫材料與潛變
Pilling與Bedworth於1923年,以生成的氧化物體積與消耗的金屬體積之比,整理了金屬的氧化方式。重點在於使金屬原子數一致來比較,把氧化物 M_aO_b 1 mol的體積,除以其中所含a mol金屬的體積。比值小於1時,氧化物無法完全覆蓋金屬表面;大於1時,膜在側向被壓縮的狀態下成長。因為只需密度與莫耳質量就能計算,一直被用作估計膜是否具保護性的第一個參考。
由室溫的密度計算時(依所用密度的值會相差0.1〜0.2左右),PBR對Na約為0.57、對Ca約為0.65,小於1,與這些金屬的氧化不易停止相符。Al約為1.3,Ni與Cu(Cu₂O)約為1.7,屬於容易形成保護膜的範圍。Ti(金紅石型TiO₂)約為1.8,Cr(Cr₂O₃)約為2.0。另一方面,Nb(Nb₂O₅)約為2.7、W(WO₃)約為3.4,數值很大,膜中累積很大的壓縮應力,容易發生破裂或剝離。W的氧化物又容易在高溫揮發,因此在高溫空氣中難以直接使用。
只靠PBR無法判斷保護性的例子很多。鐵形成比值約1.8的FeO,但高溫下生成的FeO缺陷非常多,離子擴散很快,因此膜成長得又厚又快。Si與Cr的值在2左右而偏大,緻密的SiO₂與Cr₂O₃卻是優良的保護膜。PBR以膜在與金屬的界面成長為前提,但金屬離子向外擴散、在膜表面生成氧化物時,體積差造成的應力不太會累積。保護性要一併考量膜中擴散的快慢、密著性、冷卻時的熱膨脹差等來判斷。
PBR的想法在求膜厚與消耗的金屬厚度之關係時也很有用。在半導體製程中把Si熱氧化成非晶質SiO₂時,若密度取 Si 2.33 g/cm³、SiO₂ 2.20 g/cm³,比值約為2.27。假設面積不變、只有厚度增加,生成厚度x的SiO₂會消耗約0.44x的Si,氧化膜約44%成長在原本Si表面之下,其餘在其上。100 nm的氧化膜約消耗44 nm的Si,因此在元件尺寸與段差的設計上要預先考慮這個量。
正確答案:C. 約0.81,膜無法完全覆蓋金屬表面而容易破裂,不易具有保護性
PBR = (40.30 × 1.74)/(1 × 24.31 × 3.58) = 70.1/87.0 ≈ 0.81。PBR小於1時,氧化物的體積比消耗的金屬體積小,膜承受拉伸應力而破裂或產生間隙,氧容易到達金屬。在1〜2左右時,膜容易毫無間隙地覆蓋金屬,如形成Al₂O₃(PBR ≈ 1.29)的鋁般容易具有保護性;遠大於2時,壓縮應力過大,膜容易剝落。約1.24是把分子與分母顛倒的值。PBR終究只是參考,保護性也受膜中擴散的快慢與密著性影響。
以 PBR = (M_ox ρ_M)/(n M_M ρ_ox) 求得。M_ox 與 ρ_ox 為氧化物的莫耳質量與密度,M_M 與 ρ_M 為金屬的值,n為氧化物化學式1個中所含的金屬原子數。這是沒有單位的比值,只要統一密度與莫耳質量的單位就能計算。
因為氧化物想膨脹到原本金屬體積的2倍以上,側向卻受金屬拘束,使膜中累積很大的壓縮應力。膜越厚累積的能量越多,超過某個厚度時,膜就會浮起或破裂而剝落。
金屬與氧化物的熱膨脹略有不同,因此值會稍微改變,但作為參考一般使用以室溫密度計算的值。影響更大的是生成哪一種氧化物,若生成的氧化物隨溫度或氧分壓改變,就必須使用該氧化物的值。
PBR = (40.30 × 1.74)/(1 × 24.31 × 3.58) = 70.1/87.0 ≈ 0.81。
以 PBR = (M_ox ρ_M)/(n M_M ρ_ox) 求金屬氧化膜的Pilling-Bedworth比(PB…