什麼是飽和磁化
施加強磁場使所有磁矩朝同一方向排列時的磁化。鐵約為1.7×10⁶ A/m(以µ₀Ms表示約2.2 T),隨溫度上升而減少。
日文名稱: 飽和磁化
「飽和磁化」出現在2領域的8道練習題中(磁性材料, 電子、磁性與光學材料等)。
這個名詞所屬的領域: 磁性材料
施加強磁場使所有磁矩朝同一方向排列時的磁化。鐵約為1.7×10⁶ A/m(以µ₀Ms表示約2.2 T),隨溫度上升而減少。
日文名稱: 飽和磁化
「飽和磁化」出現在2領域的8道練習題中(磁性材料, 電子、磁性與光學材料等)。
這個名詞所屬的領域: 磁性材料
飽和磁化Ms是以強磁場使所有磁矩朝同一方向排列時,單位體積的磁矩,單位為 A/m。它由每個原子的磁矩與原子的數目密度決定,因此組成與溫度相同時,幾乎與晶粒大小或加工程度無關。在這一點上,它與隨組織大幅改變的矯頑力或磁導率性質不同,被視為對組織不敏感的量。設計磁性材料時,要依先以組成決定飽和磁化的大小,再以組織控制調整矯頑力與磁導率的順序考慮。
以室溫的飽和磁通密度 µ₀Ms 比較,鐵約2.15 T,鈷約1.8 T,鎳約0.6 T,0 K時每個原子的磁矩分別約為2.22、1.72、0.61 µB。在鐵中加入約35%鈷的合金可達約2.4 T,是實用材料中最高的值。另一方面,鐵基非晶質合金約1.5~1.6 T,錳鋅鐵氧體約0.5 T,較低。有時也以每單位質量表示,鐵的飽和磁化約為218 A·m²/kg(218 emu/g)。
溫度上升時,熱擾動使磁矩方向不易一致,飽和磁化變小。從0 K升溫時,起初緩慢下降,接近居里溫度時急遽下降,在居里溫度成為0。居里溫度鐵約770℃,鎳約358℃,鈷約1120℃。室溫的值比0 K的值略小,例如鎳由原子磁矩算出的0 K值約0.64 T,室溫則約0.61 T。在高溫使用的馬達或變壓器材料中,必須看使用溫度下的飽和磁化。
磁通密度為 B = µ₀(H + M),因此飽和時的磁通密度Bs是 µ₀Ms 加上 µ₀H 的值,但軟磁材料的 µ₀H 小,因此當作 Bs ≈ µ₀Ms 處理。殘留磁化是磁場回到0時留下的磁化,比飽和磁化小,且大幅受組織與形狀左右。量測時,以振動樣品磁力計(VSM)或SQUID磁力計量測磁化曲線,讀取高磁場下飽和的值。試樣形狀造成的退磁場會使飽和需要強磁場,因此會採取把細長試樣沿磁場方向放置等方法。
正確答案:B. 約1.7×10⁶ A/m
BCC的單位晶胞中有2個原子,因此原子的數目密度為 n = 2/a³ = 2/(0.2866×10⁻⁹ m)³ ≈ 8.50×10²⁸ m⁻³。飽和磁化是單位體積的磁矩,因此 Ms = n × 2.22 µB = 8.50×10²⁸ × 2.22 × 9.27×10⁻²⁴ ≈ 1.7×10⁶ A/m。換算成 µ₀Ms 約為2.2 T,與鐵的飽和磁通密度值十分吻合。約8.7×10⁵ A/m 是把單位晶胞的原子算成1個的值,約3.5×10⁶ A/m 是比照FCC算成4個的值。每個原子的磁矩不是整數,是因為擔負磁性的3d電子形成能帶。
飽和磁化Ms是材料磁矩的密度,單位為 A/m;飽和磁通密度Bs是飽和時的磁通密度,單位為 T。由 B = µ₀(H + M),Bs比 µ₀Ms 大 µ₀H 的份量,但差值小,因此有時幾乎以相同意思使用。
SI單位為 A/m,CGS單位為 emu/cm³,1 emu/cm³ = 1000 A/m。以磁通密度表示時用 µ₀Ms(T),CGS中用 4πMs(G),1 T = 10000 G。每單位質量的值,以 A·m²/kg 與 emu/g 表示時數值相同。
只要組成與相不改變,幾乎不會改變。但熱處理產生析出物,或因相變、有序化成為別的相時,各相的值不同,整體的飽和磁化也會改變。沃斯田鐵系不鏽鋼因加工變成麻田散鐵,而變得會被磁鐵吸住,就是一例。
飽和磁化是單位體積的磁矩,因此 Ms = n × 2.22 µB = 8.50×10²⁸ × 2.22 × 9.27×10⁻²⁴ ≈ 1.7×10⁶ A/m。
設鐵(BCC,晶格常數0.2866 nm)每個原子的磁矩為2.22 µB。所有磁矩都排列整齊之0 K下的飽和磁化Ms最…再增強磁場時,殘留磁區內的磁化本身轉向磁場方向,趨近飽和磁化。
對消磁狀態的鐵磁體施加外部磁場並逐漸增強時,磁化進行的機制,下列何者正確?巨觀上它與鐵磁體一樣呈現磁區與磁滯,但飽和磁化比鐵等鐵磁性金屬小。
下列關於磁鐵礦(Fe₃O₄)等鐵氧體所呈現之亞鐵磁性的敘述,何者正確?由實測飽和磁化求得的值約為4.1 µB,與此估計十分吻合。
磁鐵礦 Fe₃O₄ 為反尖晶石型,A位置(四面體位置)有1個Fe³⁺,B位置(八面體位置)有Fe³⁺與Fe²⁺各1個,…坡莫合金的飽和磁通密度比純鐵(約2.2 T)低得多,因此認為飽和磁化比純鐵大的選項錯誤。
Fe-約78%Ni的高導磁合金(坡莫合金)呈現極高磁導率的主要原因為下列何者?