응고와 주조 조직
대부분의 순금속은 매끄럽고 둥그스름한 고액 계면으로 성장하는 데 비해, Si나 Bi는 평평한 결정면(패싯)으로 둘러싸여 성장하기 쉽다. 이 차이를 설명하는 기준으로 옳은 것은 무엇인가?
- A융점이 높은 물질일수록 계면의 원자가 움직이기 어려우며, 융점이 약 1000℃를 넘는 물질은 모두 패싯을 가지고 성장한다
- B열전도율이 낮은 물질일수록 잠열이 계면에서 빠져나가기 어려우며, 국부적으로 과열된 면이 패싯이 된다
- C융해 엔트로피가 큰(ΔSf/R이 약 2보다 큰) 물질일수록 계면이 원자적으로 평평해져 패싯을 가진다
정답과 해설 보기
정답: C. 융해 엔트로피가 큰(ΔSf/R이 약 2보다 큰) 물질일수록 계면이 원자적으로 평평해져 패싯을 가진다
잭슨의 이론에서는 계면의 거칠기가 융해 엔트로피를 기체 상수로 나눈 α ≈ ΔSf/R로 정해집니다. 대부분의 금속은 α가 약 1로 계면이 원자적으로 거칠고 어디에나 원자가 붙을 수 있으므로, 약간의 과냉각으로도 연속적으로 성장합니다(비패싯). Si는 α가 약 3.6으로 크고 계면이 원자적으로 평평해져, 단차가 있는 곳에서만 원자가 붙으므로 패싯으로 둘러싸인 형태로 성장하며 더 큰 과냉각이 필요합니다. 융점의 높이로 정해지는 것이 아니며, 융점이 약 1540℃인 철도 비패싯입니다. 열전도율도 형태를 정하는 주요 인자가 아닙니다. Al-Si 합금의 공정 Si가 판상이 되는 것도 Si가 패싯 성장하기 때문입니다.