P_L = P / Lℓ = 1 / P_L = L / PG = −6.643856 log₁₀ ℓ̄ − 3.288
| 符號 | 意義 |
|---|---|
P | 交點數(含三叉點 1.5、端點 ½) |
L | 試驗線的長度(實際尺寸) |
ℓ̄ | 平均截距長度(mm)。各視野 ℓ 的平均 |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); Vander Voort, Buehler Tech-Notes
這是在自己的顯微鏡照片上計數晶粒度與相分率的工具。開啟影像並設定尺度後,逐一點選(點按)試驗線與晶界的交點、框內的晶粒、網格點,就會以可直接寫進報告的形式,算出晶粒度號數 G、平均截距長度 ℓ̄、單位面積的晶粒數 N_A、體積分率及其不確定度。試樣的製作方法請見試樣製備與蝕刻指南,組織的辨識方法請見組織圖譜。
與其他頁面相同,本頁也有瀏覽紀錄(流量分析)。開啟的影像、加上的標記與計數的數目,都不會傳送到任何地方(量測的部分不進行通訊)。計數途中的狀態(標記的位置與尺度,不含影像)只保留在這個瀏覽器中。
本頁的數值,是依據經公開資料確認的公式與計數方法所得的估計值。標準只列出名稱、編號、對象,以及公開資料中可確認的公式。正式的判定與報告,請依照標準本文與所屬單位的程序。
量測畫面中的標記種類,都依照這些規則設定。數值經 ASTM E112(晶粒度)與 E562(點計數法)的公開資料確認。
| 情況 | 計數 |
|---|---|
| 試驗線橫越晶界的點(交點) | 1 |
| 試驗線通過三叉點(3 個晶粒交會的點) | 1.5 |
| 試驗線與晶界相切(擦過) | 1 |
| 直線的端點恰好碰到晶界(端點停在晶粒內時不計) | ½ |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); ASTM E112-13(2021) 的概要
| 情況 | 計數 |
|---|---|
| 完全位於框內的晶粒 | 1 |
| 被框線切到的晶粒 | ½ |
| 方框時,四個角落的晶粒不計,合計加 1(四個角落的晶粒平均各有 1/4 位於框內) | +1 |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); ASTM E112-13(2021) 的概要; Vander Voort, Buehler Tech-Notes
| 情況 | 計數 |
|---|---|
| 網格點位於所計數的相內 | 1 |
| 點落在相的邊界上(難以判斷在內或在外時也計 ½) | ½ |
| 其他的點(基地等)。在本頁中歸入「其餘」 | 0 |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(點計數法); Vander Voort, Buehler Tech-Notes
晶粒度號數以 ASTM E112 的公式求出。公式集中也有相同的換算: 晶粒度號數(ASTM E112)
P_L = P / Lℓ = 1 / P_L = L / PG = −6.643856 log₁₀ ℓ̄ − 3.288| 符號 | 意義 |
|---|---|
P | 交點數(含三叉點 1.5、端點 ½) |
L | 試驗線的長度(實際尺寸) |
ℓ̄ | 平均截距長度(mm)。各視野 ℓ 的平均 |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); Vander Voort, Buehler Tech-Notes
N_A = (N_in + ½ N_cut) / AN_A = (N_in + ½ N_cut + 1) / AG = 3.321928 log₁₀ N_A − 2.954| 符號 | 意義 |
|---|---|
N_in | 框內的晶粒數 |
N_cut | 被框切到的晶粒數(方框時不含四個角落的晶粒) |
A | 框的面積(實際尺寸,mm²)。上式用於圓框,下式用於方框 |
N_A | 每 1 mm² 的晶粒數(mm⁻²) |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); ASTM E112-13(2021) 的概要
P_P = P_α / P_TV_V ≈ P̄_P| 符號 | 意義 |
|---|---|
P_α | 落在相 α 上的點數(邊界上計 ½) |
P_T | 網格點的數目 |
V_V | 體積分率(以各視野 P_P 的平均估計) |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(點計數法)
x̄ = Σ x_i / ns = √( Σ (x_i − x̄)² / (n − 1) )95 % CI = t · s / √n%RA = 100 × 95 % CI / x̄| 符號 | 意義 |
|---|---|
x_i | 各視野的值(ℓ、N_A、P_P) |
n | 視野數 |
t | 自由度 n − 1 的 t 分配的雙尾 95 % 值(n = 5 時為 2.776,n = 10 時為 2.262) |
%RA | 相對精度。一般認為 10 % 以下即足以滿足多數用途 |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); Univ. of Michigan 實驗資料(點計數法)
m = 8 × 2^GN_A = 15.50 × 2^(G−1) = 7.75 × 2^GG_JIS = G_ASTM − log₂(8 / 7.75) = G_ASTM − 0.046| 符號 | 意義 |
|---|---|
m | JIS G 0551、ISO 643 的每 1 mm² 晶粒數 |
N_A | ASTM E112 的每 1 mm² 晶粒數(100 倍影像中每 1 平方英吋 2^(G−1) 個) |
G_JIS | 相同 N_A 時 JIS、ISO 的號數(截線法的公式未確認) |
出處: 新潟縣工業技術綜合研究所 (2020); Vander Voort (1991); ISO 643:2019 的樣本; Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度)
以 ASTM E112 的公式計算的值(建置時已確認與 E112 表 4 的值相符)。d̄ = 1/√N_A 是假設正方形晶粒的值,與平均截距長度 ℓ̄ 不同。
| G | N_A(每 1 mm² 的晶粒數) | ℓ̄(µm) | d̄ = 1/√N_A(µm) |
|---|---|---|---|
| 0 | 7.75 | 320.0 | 359.2 |
| 1 | 15.50 | 226.3 | 254.0 |
| 2 | 31.00 | 160.0 | 179.6 |
| 3 | 61.99 | 113.1 | 127.0 |
| 4 | 124.0 | 80.0 | 89.8 |
| 5 | 248.0 | 56.6 | 63.5 |
| 6 | 495.9 | 40.0 | 44.9 |
| 7 | 991.9 | 28.3 | 31.8 |
| 8 | 1,984 | 20.0 | 22.5 |
| 9 | 3,967 | 14.1 | 15.9 |
| 10 | 7,935 | 10.0 | 11.2 |
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度)
截線法計數試驗線與晶界的交點,求出平均截距長度 ℓ̄;面積法計數框內的晶粒,求出每 1 mm² 的晶粒數 N_A。兩者都能以 ASTM E112 的公式換算成晶粒度號數 G,但所計數的對象不同(線上的晶界,與面內的晶粒)。Vander Voort 寫道,兩種方法量測的是組織的不同面向,因此不會完全一致,但數值相近。
所需的工夫不同。面積法必須在數過的晶粒上逐一做標記,比較費時。E112 把得到 10 % 相對精度的參考值,訂為截線法約 400 個交點、面積法約 700 個晶粒。Vander Voort 也指出,要達到相同的精度,截線法所需的時間短得多。
若是等軸晶粒且要快速求出號數,適合用截線法,尤其是 3 個同心圓(方向的偏差會被平均掉,E112 也推薦)。需要晶粒數本身,或想一邊確認晶粒形狀一邊計數時,則使用面積法。據報告,方框(Saltykov 的方法)即使框內的晶粒少,也能得到穩定的數值。
晶粒因軋延等而朝一個方向伸長時,要依方向分別量測(本頁以「1 條水平直線」與「1 條垂直直線」分開計數)。E112 有以各方向的 ℓ̄ 及其比值表示伸長程度的方法。晶粒大小分成 2 個峰的混粒不在 E112 的範圍內,由 ASTM E1181 處理。
在 2 相組織中求其中一相的晶粒大小時,要結合該相的體積分率(點計數法),與只計數該相晶粒的截線法(E112:ℓ̄_α = V_Vα · L / N_α,N_α 是試驗線橫越 α 晶粒的數目)。
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); Vander Voort, Buehler Tech-Notes; Vander Voort (2013) M&M; ASTM E112-13(2021) 的概要; ASTM E1181 的概要
決定精度的,與其說是 1 個視野中數到的數目,不如說是各視野數值之間的分散。本頁與 E112、E562 相同,由各視野的值求出平均 x̄、標準差 s、95 % 信賴區間 t·s/√n,以及相對精度 %RA = 100 × 信賴區間 / 平均。t 是自由度 n − 1 的 t 分配的值,視野越少就越大(n = 5 時為 2.776,n = 10 時為 2.262,n = 20 時為 2.093)。
E112 的參考值:截線法採用每放置 1 次可數到 40〜100 個(3 個同心圓)、直線則可數到 50 個以上的倍率,並計數 3〜5 個以上的視野。面積法是框內 50 個以上(最多約 100 個),3 個視野以上。一般認為多數用途在 10 %RA 以下即已足夠。超過 10 % 時,要增加視野並重新計算。
信賴區間大致與 √n 成反比,因此視野增為 4 倍,信賴區間就減半。點計數法中,若各點可視為獨立,以 P_T 點的網格計數分率 p 的相 n 個視野時,%RA 約為 200 √((1 − p) / (p · P_T · n))。越少的相需要數得越多。例如要以 100 點的網格使 5 % 的相達到 10 %RA,依此式約需 76 個視野,依 E562 的表 3(假設所測的相隨機散布於組織中的值)則需 80 個視野。
E562 刊載了依目視估計的面積比例選擇網格點數的表(2〜5 % 用 100 點,5〜10 % 用 49 點,10〜20 % 用 25 點,多於 20 % 用 16 點),以及達到目標 %RA 所需視野數的表。不過 %RA 不是查表得出,而要由自己的資料計算。此外,E562 規定要計算 95 % 信賴區間,至少要計數 30 個視野(附錄 A1)。視野少於 30 個時,信賴區間只當作參考值解讀。
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); Univ. of Michigan 實驗資料(點計數法); Vander Voort, Buehler Tech-Notes
截線法與面積法都以所有晶界都看得見為前提。若部分晶界未顯現,交點減少使 ℓ̄ 變大,晶粒減少使 N_A 變小,兩者都會把 G 估得偏小(偏粗)。這無法靠計數方法修正,必須從蝕刻重新做起。蝕刻不足、過度蝕刻與刮痕,請見試樣製備與蝕刻指南。
要選擇能清楚顯現晶界的腐蝕液。例如鋼的肥粒鐵晶粒使用 Nital。Picral 是腐蝕雪明碳鐵的溶液,不會顯現肥粒鐵的晶界(見試樣製備與蝕刻指南的 Picral 項目),因此不適合用於肥粒鐵的晶粒度。對沃斯田鐵系的鋼,ISO 643 列舉了顯現晶界而不顯現雙晶界的電解蝕刻(60 % 硝酸)。
求晶粒度號數時,不計數退火雙晶的雙晶界(雙晶的兩側視為 1 個晶粒),這與 E112 的定義相同。面心立方金屬(沃斯田鐵系不鏽鋼、銅、黃銅、鎳合金等)的退火雙晶多,體心立方的肥粒鐵則通常看不到退火雙晶。雙晶界多半看起來是筆直平行的 2 條線,要與晶界區分,不要做標記。研究中有時也會使用包含雙晶在內的數值,因此報告中要寫明以哪一種方式計數。
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度); ISO 643:2019 的樣本; Vander Voort, Buehler Tech-Notes
「平均粒徑」有好幾種定義。(1) 平均截距長度 ℓ̄(截線法的值本身,公式集也用這個名稱)。(2) 平均晶粒截面積 Ā = 1/N_A 的平方根 d̄ = √Ā(E112 表中的 d̄。這是假設正方形晶粒的值,E112 寫道它沒有物理意義)。(3) 等效圓直徑 √(4Ā/π)。(4) 立體晶粒的直徑 D(同樣大小的球時 D = 1.5 ℓ̄,假設十四面體的形狀與大小分布的估計則為 D = 1.571 ℓ̄)。
即使是同一組織,依 E112 表中的關係,d̄ 比 ℓ̄ 大約 12 %,等效圓直徑大約 27 %,D 則大 50 % 以上。寫「粒徑 20 µm」時,要附上是哪一種定義(ℓ̄、d̄、等效圓直徑)以及量測的方法。代入霍爾-佩奇關係的 d 也因論文而異,有時是 ℓ̄,有時是等效圓直徑。
晶粒度號數是對數刻度:G 增加 1,N_A 變成 2 倍,ℓ̄ 變成 1/√2 倍。截線法的 G 與面積法的 G,是在 E112 假設的晶粒形狀下設定為一致的。在實際組織,或本頁的平面合成組織中,即使是同一組織,兩種方法的 G 也可能相差 0.1〜0.3 左右。不要平均號數,而是先平均 ℓ̄ 或 N_A 再換算成號數(E112)。
出處: Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度)
JIS G 0551(鋼—晶粒度的顯微鏡試驗方法)與 ISO 643,以 m = 8 × 2^G 連結每 1 mm² 的晶粒數 m 與晶粒度號數 G(G = 1 時 m = 16)。ASTM E112 規定 100 倍影像中每 1 平方英吋的晶粒數為 2^(G−1),換算成實際尺寸為 N_A = 15.50 × 2^(G−1) = 7.75 × 2^G mm⁻²。
相同 N_A 時,G_JIS = log₂(N_A/8)、G_ASTM = log₂(N_A/7.75),因此 JIS、ISO 的號數比 ASTM 小 log₂(8/7.75) = 0.046。Vander Voort 認為這個差異小到可以忽略。
由截線法的值 ℓ̄ 換算成號數的公式,JIS 與 ASTM 是否相同,無法由公開資料確認。本頁的晶粒度號數以 ASTM E112 的公式求出。以 JIS 報告時,請以 JIS G 0551 的本文確認。另外,JIS G 0551 的截線法使用 3 個同心圓或 4 條直線,在 100 倍下試驗線合計 500 mm,通常平均至少 5 個視野的 N_L。
出處: 新潟縣工業技術綜合研究所 (2020); 寺山等 (2022); ISO 643:2019 的樣本; Vander Voort (1991); Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度)
合成組織是由亂數放置的點所產生的 Voronoi 分割(依最靠近哪一點來決定晶粒)。點與點之間不會靠得比一定距離更近,因此晶粒大小偏向一致。影像的上下、左右是相連的,因此影像中恰好包含每個晶粒各 1 個。2 相組織是把部分晶粒設為暗相(加入條紋,模擬波來鐵),粒子組織則在基地中放置不重疊的圓(模擬石墨顆粒)。
真值不是數像素,而是由形狀計算。N_A 是晶粒數 / 面積。平均截距長度由晶界長度的總和 L_B 以 ℓ̄ = πA / (2 L_B) 求出(在晶界朝各方向均等分布的組織中,每單位試驗線長度的交點數為 P_L = (2/π) L_A 的關係)。體積分率由多邊形與圓的面積求出。尺度的設定使 N_A 等於所選 G 的值。
對答案中的「理想計數」,是以與你放置的相同的線、框、網格,機械性地計數晶粒變換處與落在暗相上的點所得的值。與真值的差,主要是只量測有限視野所造成的差異(分散);與你的計數的差,則是計數方式的差異。不過,面積法(框內的晶粒 + 被切到晶粒的 ½)在框內晶粒少時會偏多。在這些合成組織上把框放在各處重新計數,框內約 13 個時為 +9 %,約 25 個時為 +3〜4 %,約 50 個時為 +2 %,約 100 個時為 +1 %。採用 E112 參考值、框內可容納 50 個以上的倍率,這個偏差就會變小。
合成組織是平面的多邊形,不是切開立體晶粒的斷面,因此截線法的 G 會比面積法的 G 大 0.3 左右。答案要分別與各方法的真值比較。把亂數種子放入網址,就能分享相同的影像。
出處: Rollett, Stereology (2014); Univ. of Michigan 實驗資料(晶粒度)
不會。影像只是在瀏覽器中讀取並繪製到 canvas 上,本頁的量測部分不進行通訊(與其他頁面相同,有瀏覽紀錄,也就是流量分析)。計數途中的狀態(標記的位置、尺度,不含影像本身)只保留在這個瀏覽器中,可以用「清除所有量測」刪除。
輸入拍攝時的倍率,與以該倍率列印或顯示照片時的寬度(mm);或輸入儀器給出的每像素長度(µm/px);或輸入照片寬度所對應的試樣長度(µm)。在電腦螢幕上放大檢視時的倍率,會隨顯示大小而改變,因此不能使用。
E112 以 1.5 為正確值,也允許以計數器計數圓時計為 2 的簡便法(誤差小)。本頁以 1.5 計數。直線的端點恰好碰到晶界時計 ½。
比較法雖然快速,但 E112 指出它整體上有判定偏粗的偏差(0.5〜1 號),重複性與再現性通常為 ±1 號。面積法與截線法則都沒有偏差,重複性與再現性優於 ±0.5 號,以適度的工夫即可得到 ±0.25 號的精度(E112-13 的 4.1.2、4.1.3)。兩者的差異在於截線法能以較短的時間達到相同的精度。組織圖譜的晶粒度一節有比較法的示意。
點計數法(E562)是不看組織就放置規則的網格,由人逐點判定,因此是無偏的估計。以亮度閾值自動區分的方法,數值會因蝕刻的深淺或照明不均而改變。自動影像分析由另一個標準(ASTM E1245)處理。
若照片夠大,且圖樣比照片小得多,可以用「移到別處」或「移到顯示中心」把圖樣移到與先前視野不重疊的位置,從 1 張照片取得數個視野。不過只在同一處附近取視野,無法反映整個試樣的分散,因此原本的做法是使用在試樣上相距較遠處拍攝的多張照片。