材料分析(SEM、TEM、XRD、XPS)
SEM二次電子影像與背向散射電子影像的特徵,下列何者正確?
- A二次電子主要呈現表面的凹凸,背向散射電子主要呈現原子序造成的成分差異
- B二次電子影像主要呈現原子序的差異,背向散射電子影像主要呈現表面的凹凸
- C二次電子與背向散射電子都同樣從試樣深數µm處射出,因此兩種影像沒有差異
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正確答案:A. 二次電子主要呈現表面的凹凸,背向散射電子主要呈現原子序造成的成分差異
二次電子是能量在50 eV以下的低能電子,只能從試樣表面數nm左右的深度逸出。因此強烈受到表面傾斜、凹凸與邊緣的影響,得到具立體感的形貌影像。背向散射電子是入射電子被試樣原子散射而返回者,能量高,從更深的區域射出。背向散射電子的量隨原子序增大而增多,因此可得到重元素部分較亮的成分影像。認為二次電子影像表示原子序差異、背向散射電子影像表示表面凹凸的選項,把兩者的角色弄反了,逸出深度相同也是錯誤的。在失效分析中,會比對兩種影像來尋找異物或析出物。