SIMS(二次イオン質量分析法)とは

しむす

一次イオンで試料を削りながら、出てくる二次イオンを質量分析する方法。ドーパントなど微量元素の深さ分布をppm〜ppbの感度で測れる。

「SIMS(二次イオン質量分析法)」は、1分野の1問の練習問題に出てきます(材料分析(SEM・TEM・XRD・XPS)など)。

この用語の分野: 材料分析(SEM・TEM・XRD・XPS)

SIMS(二次イオン質量分析法)の練習問題に挑戦

半導体の故障解析で、ドーパントの深さ方向の濃度分布をppm〜ppbレベルの感度で調べるのに最も適した手法はどれか。

  1. ASIMS(二次イオン質量分析法)
  2. BEDS(エネルギー分散型X線分光法)
  3. CXRD(X線回折)
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正解:A. SIMS(二次イオン質量分析法)

SIMSは、O₂⁺やCs⁺などの一次イオンで試料の表面を削りながら、はじき出された二次イオンを質量分析する方法です。多くの元素をppm〜ppbの感度で、深さ方向に数nmの分解能で測定でき、シリコン中のボロン、リン、ヒ素の分布の測定の定番です。試料を削る破壊分析で、正確な定量には同じ母材の標準試料が必要です。EDSの検出下限はおおむね0.1 wt%程度で、ドーパントの濃度を測るには感度が足りません。XRDは結晶構造や格子定数を調べる方法で、微量元素の濃度分布は測れません。

解説の中の「SIMS(二次イオン質量分析法)」

「SIMS(二次イオン質量分析法)」が出てくる問題(1問)

  1. 半導体の故障解析で、ドーパントの深さ方向の濃度分布をppm〜ppbレベルの感度で調べるのに最も適した手法はどれか。

関連する用語

EDS(エネルギー分散型X線分光法) XRD(X線回折) XPS(X線光電子分光法) シェラーの式 消滅則 SEM(走査電子顕微鏡) ブラッグの法則

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