什麼是聲子
將晶體的晶格振動量子化而得的類粒子。在絕緣體中負責熱傳導與比熱,也是電子散射的原因。
日文名稱: フォノン
「聲子」出現在4領域的10道練習題中(材料的熱性質, 電子、磁性與光學材料, 電池與能源材料等)。
這個名詞所屬的領域: 材料的熱性質
將晶體的晶格振動量子化而得的類粒子。在絕緣體中負責熱傳導與比熱,也是電子散射的原因。
日文名稱: フォノン
「聲子」出現在4領域的10道練習題中(材料的熱性質, 電子、磁性與光學材料, 電池與能源材料等)。
這個名詞所屬的領域: 材料的熱性質
晶體中的原子彼此像以彈簧相連般結合,其振動可以表示為擴展到整個晶體之波的疊加。各個波的能量以 ħω 為單位量子化,這個單位的激發稱為聲子,就如同光子是電磁波的量子。有相鄰原子朝相同方向運動的聲學聲子,以及單位晶胞內的原子朝相反方向運動的光學聲子。德拜溫度大致是把最高頻聲子的能量換算成溫度的值,鍵結越強、原子越輕就越高。
高溫下所有振動都被激發,每個原子具有 3kT 的能量,因此莫耳比熱約為3R(Dulong-Petit定律)。溫度降低時,能量大的聲子依序不再被激發,比熱變小。在遠低於德拜溫度的溫度下,只有長波長的聲學聲子被激發,比熱與 T³ 成正比。比熱這種量子性的行為,古典理論無法說明,是愛因斯坦與德拜說明固體比熱時的出發點。
在絕緣體與半導體中,熱主要由聲子傳遞,熱導率以 κ = (1/3)Cvl 的形式由比熱、聲速與平均自由徑表示。聲子會被其他聲子、點缺陷與同位素、差排、晶界與表面散射。高溫下聲子之間的Umklapp過程為主,κ 約以 1/T 下降;極低溫下則以表面與晶界的散射為主。熱電材料刻意以奈米結構或重原子散射聲子以降低熱導率,散熱材料則反過來使用散射少的晶體。
正確答案:C. 約46 nm
每單位體積的比熱為 C = ρc = 2330×700 ≈ 1.63×10⁶ J/(m³·K)。l = 3κ/(Cv) = 3×150/(1.63×10⁶×6000) ≈ 4.6×10⁻⁸ m,約46 nm。約15 nm 是漏掉係數1/3而用 κ/(Cv) 的值,約5.1 nm 是把1/3乘在相反側而得 κ/(3Cv) 的值。這個估算是以單一速度與平均自由徑代表所有聲子的平均值,實際上平均自由徑在數百nm以上的低頻聲子也傳遞了許多熱。因此在厚度約100 nm的矽薄膜或奈米線中,表面的散射會使熱導率比塊材大幅下降。
它是將原子集體振動量子化的產物,不是能單獨取出的粒子,稱為準粒子。即使如此,它具有能量與晶體動量,會與電子或光子碰撞而散射,把它當成粒子處理,可以簡單地說明許多現象。
會,但在純金屬中傳導電子傳遞的熱大得多,聲子的部分通常只佔整體的一部分。在合金或電子少的介金屬化合物中,聲子的比例有時會變大。
金屬電阻隨溫度變化的主要原因,是傳導電子被聲子散射。溫度升高時聲子增加、散射增加,在室溫附近電阻率幾乎與溫度成正比而增加。半導體的遷移率隨溫度下降,也是同樣的原因。
這個估算是以單一速度與平均自由徑代表所有聲子的平均值,實際上平均自由徑在數百nm以上的低頻聲子也傳遞了許多熱。
設矽(密度2330 kg/m³,比熱700 J/(kg·K))室溫的熱導率為150 W/(m·K),聲子的平均速度為6…在金屬中,傳導電子的濃度幾乎與溫度無關而固定,溫度升高時晶格振動(聲子)造成的散射增加,遷移率下降,因此電阻率在室溫附近大致與溫度成正比增加。
提高溫度時電阻率的變化,下列組合何者正確?設半導體處於本質區。電子與電洞要發光復合,需要同時有補償動量差的聲子參與,因此輻射復合的機率非常低,大多經由缺陷能階的非輻射復合變成熱。
矽幾乎不被用作發光二極體發光材料的主要原因為下列何者?因此,只讓傳遞大部分熱的聲子在奈米結構界面或重原子的搖晃(rattling)中被散射,以降低晶格熱導率,是有力的方針,以「聲子如玻璃,電子如晶體」來形容。
提高熱電材料性能指標 ZT 的方針,下列何者正確?在遠低於德拜溫度的溫度下,被激發的只有能量低的長波長聲學聲子,其數目隨溫度增加,因此晶格比熱與 T³ 成正比(德拜T³定律)。
在遠低於德拜溫度的溫度下,絕緣體晶體的比熱(晶格比熱)如何隨溫度變化?德拜溫度 Wiedemann-Franz定律 間接能隙半導體 Dulong-Petit定律 黃銅 Umklapp過程 原子間位能 密度泛函理論 分子動力學法 因瓦合金